下一代近眼显示器需要具有高效率和稳定性的全色超高分辨率量子点发光二极管(URQLEDs)。然而，现有的量子点(QD)图案化技术难以同时实现亚微米像素尺寸、全色集成和高器件性能。

2026年4月1日，福州大学李福山团队在Nature 在线发表题为“Nanoscale transfer-printed full-colour ultrahigh-resolution quantum dot LEDs”的研究论文。该研究提出了一种名为“双作用力动力学”的新策略，结合硬质硅模板纳米压印与倒置转移印刷技术，成功制备了像素密度高达25,400 PPI的全彩量子点发光二极管。

近眼显示器提供视网膜级别的分辨率(> 10，000 PPI)和生动的全色，对于增强现实和虚拟现实在教育、医疗保健、娱乐和人机交互领域的主流采用至关重要。然而，目前的微显示技术无法满足超高像素密度、高效率、长使用寿命和可扩展全色制造的综合需求。非发射型高PPI硅基液晶和液晶显示器方法的光学效率低，光学体积大；硅背板有机发光二极管在亚微米像素表现出严重的效率下降；微型发光二极管在RGB集成过程中受到低产率传质和侧壁复合的制约；激光束扫描受到斑点、眼睛安全问题和光学复杂性的影响。

可溶液加工的量子点发光二极管(QLEDs)独特地结合了CMOS兼容的晶圆级加工、窄发射线宽、高量子产率和颜色可调性，使其成为克服这些限制的最有前途的平台。因此，胶体量子点因其尺寸可调的发射、高发光效率和溶液可加工性而得到广泛研究，在过去十年中，红色、绿色和蓝色量子点的快速发展创造了最高效率。然而，将这些进展扩展到适用于实际近眼应用的全色超高分辨率阵列仍然是一个关键的挑战。

亚微米RGB全色QD发光层的NP–TP工艺示意图和DAFD（图源自Nature ）

该研究提出的DAFD策略，通过NP-TP技术，成功解决了全彩超高分辨率QLED在图案化精度、电学隔离与性能衰退方面的核心矛盾。该技术不仅在刚性及柔性基底上实现了对CdSe/ZnS和钙钛矿量子点的高保真图案化，更通过介电工程解决了亚微米像素微结构中的电场非均匀性问题，显著提升了器件效率与稳定性。所展示的12,700 PPI全彩URQLED及与CMOS集成的有源矩阵显示器，为面向近眼显示和沉浸式显示应用的高性能、可规模化制造的微显示器技术奠定了坚实基础。

参考消息：https://www.nature.com/articles/s41586-026-10333-w